22.05.2014 15:09 Uhr in Wirtschaft & Finanzen von Mitsubishi Electric b. v.
Hybrid SiC Leistungshalbleitermodule von Mitsubishi Electric für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen
Kurzfassung: Hybrid SiC Leistungshalbleitermodule von Mitsubishi Electric für Anwendungen mit hohen SchaltfrequenzenMitsubishi Electric Corporation stellt seine neuen hybriden SiC-Leistungshalbleiter-Module (SiC: ...
[Mitsubishi Electric b. v. - 22.05.2014] Hybrid SiC Leistungshalbleitermodule von Mitsubishi Electric für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen
Mitsubishi Electric Corporation stellt seine neuen hybriden SiC-Leistungshalbleiter-Module (SiC: Siliziumkarbid) für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen vor. Diese jüngste Erweiterung der Leistungshalbleiter-Modulbaureihe NFH ermöglicht es die elektrische Verlustleistung um 40 % zu senken. Ausgestattet mit SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBD) und Silicon IGBTs bietet der Einsatz dieser Module den Entwicklern neben einer Erhöhung des Wirkungsgrades die Möglichkeit zur Verkleinerung und Gewichtsreduktion der Wechselrichter. Die Module sind für Schaltfrequenzen deutlich über 20 kHz konzipiert.
Die neuen Hybrid-SiC-Power-Module sind als Halbbrücke aufgebaut und für Sperrspannungen von 1200 V konzipiert. Je nach Ausführung beträgt der Nennstrom 100 A (CMH100DY-24NFH), 150 A (CMH150DY-24NFH), 200 A (CMH200DU-24NFH), 300 A (CMH300DU-24NFH), 400 A (CMH400DU-24NFH) oder 600 A (CMH600DU-24NFH). Sämtliche Gehäusetypen sind in ihren Abmessungen zu den konventionellen Leistungshalbleitermodulen der NFH-Baureihe von Mitsubishi Electric kompatibel, in der Silizium-Dioden als auch Silizium-IGBTs verwendet werden. Die 100-A- und die 150-A-Module, die in einem Gehäuse mit den Abmessungen 48 mm x 94 mm untergebracht sind, weisen eine um etwa 30 % geringere interne Induktivität auf als die konventionellen IGBT-Module. Die 200-A- beziehungsweise 300-A-Module besitzen eine Bodenplatte mit den Abmessungen 62 mm x 108 mm, während die 400-A- beziehungsweise 600-A-Module mit einer Bodenplatte von 80 mm x 110 mm ausgestattet sind. Zu den typischen Anwendungen zählen unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) sowie Stromversorgungen für medizinische Geräte.
Über Mitsubishi Electric
Seit über 90 Jahren versorgt Mitsubishi Electric Corporation sowohl Unternehmenskunden als auch Endverbraucher auf der ganzen Welt mit qualitativ hochwertigen Produkten aus den Bereichen Informationsverarbeitung und Kommunikation, Weltraumentwicklung und Satellitenkommunikation, Unterhaltungselektronik, Industrietechnologie, Energie, Transport- und Bauwesen.
Mit rund 121.000 Mitarbeitern erzielte das Unternehmen zum Ende des Geschäftsjahrs am 31.03.2013 einen konsolidierten Umsatz von 29,5 Milliarden Euro*. In über 30 Ländern sind Vertriebsbüros, Forschungsunternehmen und Entwicklungszentren sowie Fertigungsstätten zu finden.
Seit 1978 ist Mitsubishi Electric in Deutschland als Niederlassung der Mitsubishi Electric Europe vertreten. Mitsubishi Electric Europe ist eine hundertprozentige Tochter der Mitsubishi Electric Corporation in Tokio.
Wo immer Mitsubishi Electric ansässig ist, engagiert sich unser Unternehmen gesellschaftlich, sozial und kulturell. Mitsubishi Electric ist Sponsor der Special Olympics Düsseldorf 2014 vom 19. - 23. Mai 2014.
* Umrechnungskurs 120,69 Yen = 1 Euro, Stand 31.03.2013 (Quelle: Deutsche Bundesbank)
Weitere Informationen:
http://global.mitsubishielectric.com
http://www.MitsubishiElectric.de
http://www.mitsubishichips.eu/
Pressekontakt Unternehmen:
Mitsubishi Electric Europe B.V.
Niederlassung Deutschland
Corinna Meyer
Coordinator Marketing Communications
Semiconductor - European Business Group
Gothaer Straße 8
40880 Ratingen, Germany
www.MitsubishiElectric.de
Tel.:+49 - (0)2102 / 486-5270
Fax:+49 - (0)2102 / 486-4140
corinna.meyer@meg.mee.com
Mitsubishi Electric Corporation stellt seine neuen hybriden SiC-Leistungshalbleiter-Module (SiC: Siliziumkarbid) für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen vor. Diese jüngste Erweiterung der Leistungshalbleiter-Modulbaureihe NFH ermöglicht es die elektrische Verlustleistung um 40 % zu senken. Ausgestattet mit SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBD) und Silicon IGBTs bietet der Einsatz dieser Module den Entwicklern neben einer Erhöhung des Wirkungsgrades die Möglichkeit zur Verkleinerung und Gewichtsreduktion der Wechselrichter. Die Module sind für Schaltfrequenzen deutlich über 20 kHz konzipiert.
Die neuen Hybrid-SiC-Power-Module sind als Halbbrücke aufgebaut und für Sperrspannungen von 1200 V konzipiert. Je nach Ausführung beträgt der Nennstrom 100 A (CMH100DY-24NFH), 150 A (CMH150DY-24NFH), 200 A (CMH200DU-24NFH), 300 A (CMH300DU-24NFH), 400 A (CMH400DU-24NFH) oder 600 A (CMH600DU-24NFH). Sämtliche Gehäusetypen sind in ihren Abmessungen zu den konventionellen Leistungshalbleitermodulen der NFH-Baureihe von Mitsubishi Electric kompatibel, in der Silizium-Dioden als auch Silizium-IGBTs verwendet werden. Die 100-A- und die 150-A-Module, die in einem Gehäuse mit den Abmessungen 48 mm x 94 mm untergebracht sind, weisen eine um etwa 30 % geringere interne Induktivität auf als die konventionellen IGBT-Module. Die 200-A- beziehungsweise 300-A-Module besitzen eine Bodenplatte mit den Abmessungen 62 mm x 108 mm, während die 400-A- beziehungsweise 600-A-Module mit einer Bodenplatte von 80 mm x 110 mm ausgestattet sind. Zu den typischen Anwendungen zählen unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) sowie Stromversorgungen für medizinische Geräte.
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Mit rund 121.000 Mitarbeitern erzielte das Unternehmen zum Ende des Geschäftsjahrs am 31.03.2013 einen konsolidierten Umsatz von 29,5 Milliarden Euro*. In über 30 Ländern sind Vertriebsbüros, Forschungsunternehmen und Entwicklungszentren sowie Fertigungsstätten zu finden.
Seit 1978 ist Mitsubishi Electric in Deutschland als Niederlassung der Mitsubishi Electric Europe vertreten. Mitsubishi Electric Europe ist eine hundertprozentige Tochter der Mitsubishi Electric Corporation in Tokio.
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