Neue DFB-Laserdiode und Avalanche-Fotodiode von Mitsubishi Electric für 10GEPON
- Pressemitteilung der Firma Mitsubishi Electric b. v., 16.02.2012
Pressemitteilung vom: 16.02.2012 von der Firma Mitsubishi Electric b. v. aus
Kurzfassung: Mitsubishi Electric Corporation hat eine neue DFB-Laserdiode mit der Bezeichnung ML7xx42 sowie die neue Avalanche-Fotodiode PD8xx24 auf den Markt gebracht. Die beiden neuen Bauelemente wurden speziell zur Verwendung in optischen Netzwerk-Einheiten ...
[Mitsubishi Electric b. v. - 16.02.2012] Neue DFB-Laserdiode und Avalanche-Fotodiode von Mitsubishi Electric für 10GEPON
Mitsubishi Electric Corporation hat eine neue DFB-Laserdiode mit der Bezeichnung ML7xx42 sowie die neue Avalanche-Fotodiode PD8xx24 auf den Markt gebracht. Die beiden neuen Bauelemente wurden speziell zur Verwendung in optischen Netzwerk-Einheiten (ONU: Optical Network Units) von symmetrischen passiven optischen 10-GBit-Ethernet-Netzwerken (10G-EPON) entwickelt.
DFB-LD
Die neue DFB-Laserdiode (DFB: Distributed Feedback) ML7xx42 enthält eine aktive AlGaInAs-Schicht, die selbst bei hohen Umgebungstemperaturen und niedrigem Betriebsstrom eine Ausgangsleistung von 10 mW zur Verfügung stellt. Durch die verbesserte Modulationsbandbreite ist die Laserdiode in der Lage, bei 10 Gbit/s ordnungsgemäß zu arbeiten. Die DFB-Laserdiode ist in einem TO-CAN-Gehäuse mit 4,8 mm Durchmesser untergebracht und mit einer asphärischen Linse versehen, um so für eine hohe Kopplungseffizienz zu sorgen. Bei der ML7xx42 liegt das spektrale Maximum bei einer Wellenlänge von 1.270 nm, während bei einer Ausgangsleistung von 10 mW der Betriebsstrom weniger als 70 mA beträgt. Die Diode wurde für den Betriebstemperaturbereich von -5 bis +75 °C entwickelt.
APD
Für die Multiplikationsschicht der neuen, rauscharmen Avalanche-Fotodiode PD8xx24 nutzt Mitsubishi Electric AlInAs. Damit erreicht Mitsubishi Electric eine branchenweit führende Empfindlichkeit von typischerweise 31,5 dBm. Die PD8xx24 ist in einem TO-CAN-Gehäuse mit 5,4 mm Durchmesser untergebracht und mit einer Kugellinse versehen. Die Avalanche-Fotodiode (APD) arbeitet im Wellenlängen-Band um 1.570 nm und weist eine APD-Ansprechverhalten von typischerweise 0,8 A/W auf, während die Bandbreite bei 6,5 GHz (typ.) liegt.
Über Mitsubishi Electric
Seit 90 Jahren versorgt Mitsubishi Electric Corporation sowohl Unternehmenskunden, als auch Endverbraucher auf der ganzen Welt mit qualitativ hochwertigen Produkten aus den Bereichen Informationsverarbeitung und Kommunikation, Weltraumentwicklung und Satellitenkommunikation, Unterhaltungselektronik, Industrietechnologie, Energie, Transport- und Bauwesen. Mit rund 114.000 Mitarbeitern erzielte das Unternehmen zum Ende des Geschäftsjahrs am 31.03.2011 einen konsolidierten Umsatz von 32,2 Milliarden Euro.
Seit 1978 ist Mitsubishi Electric auch in Deutschland vertreten. Das hundertprozentige Tochterunternehmen des japanischen Konzerns mit Sitz in Ratingen bei Düsseldorf steuert Vertriebs- und Marketingaktivitäten für neun Geschäftsbereiche in vielen europäischen Ländern.
Weitere Informationen zum Unternehmen erhalten Sie unter
global.mitsubishielectric.com
www.MitsubishiElectric.de
Mitsubishi Electric Corporation hat eine neue DFB-Laserdiode mit der Bezeichnung ML7xx42 sowie die neue Avalanche-Fotodiode PD8xx24 auf den Markt gebracht. Die beiden neuen Bauelemente wurden speziell zur Verwendung in optischen Netzwerk-Einheiten (ONU: Optical Network Units) von symmetrischen passiven optischen 10-GBit-Ethernet-Netzwerken (10G-EPON) entwickelt.
DFB-LD
Die neue DFB-Laserdiode (DFB: Distributed Feedback) ML7xx42 enthält eine aktive AlGaInAs-Schicht, die selbst bei hohen Umgebungstemperaturen und niedrigem Betriebsstrom eine Ausgangsleistung von 10 mW zur Verfügung stellt. Durch die verbesserte Modulationsbandbreite ist die Laserdiode in der Lage, bei 10 Gbit/s ordnungsgemäß zu arbeiten. Die DFB-Laserdiode ist in einem TO-CAN-Gehäuse mit 4,8 mm Durchmesser untergebracht und mit einer asphärischen Linse versehen, um so für eine hohe Kopplungseffizienz zu sorgen. Bei der ML7xx42 liegt das spektrale Maximum bei einer Wellenlänge von 1.270 nm, während bei einer Ausgangsleistung von 10 mW der Betriebsstrom weniger als 70 mA beträgt. Die Diode wurde für den Betriebstemperaturbereich von -5 bis +75 °C entwickelt.
APD
Für die Multiplikationsschicht der neuen, rauscharmen Avalanche-Fotodiode PD8xx24 nutzt Mitsubishi Electric AlInAs. Damit erreicht Mitsubishi Electric eine branchenweit führende Empfindlichkeit von typischerweise 31,5 dBm. Die PD8xx24 ist in einem TO-CAN-Gehäuse mit 5,4 mm Durchmesser untergebracht und mit einer Kugellinse versehen. Die Avalanche-Fotodiode (APD) arbeitet im Wellenlängen-Band um 1.570 nm und weist eine APD-Ansprechverhalten von typischerweise 0,8 A/W auf, während die Bandbreite bei 6,5 GHz (typ.) liegt.
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Weitere Informationen finden sich auf unserer Homepage
Firmenkontakt:
Pressekontakt:
MITSUBISHI ELECTRIC EUROPE B.V.
Semiconductor European Business Group
Judith Seifert
Gothaer Straße 8
D-40880 Ratingen
Telefon: +49 (21 02) 486-0
semis.info@meg.mee.com
www.mitsubishichips.eu
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