Mega Power Dual-IGBT Module der sechsten Generation von Mitsubishi Electric
- Pressemitteilung der Firma Mitsubishi Electric b. v., 08.05.2012
Pressemitteilung vom: 08.05.2012 von der Firma Mitsubishi Electric b. v. aus
Kurzfassung: Ratingen, 8. Mai 2012 – Mitsubishi Electric präsentiert seine Mega Power Dual- (MPD) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module der sechsten Generation. Diese Module sind auf den Einsatz in Wechselrichtern großer Photovoltaik- und ...
[Mitsubishi Electric b. v. - 08.05.2012] Mega Power Dual-IGBT Module der sechsten Generation von Mitsubishi Electric
Ratingen, 8. Mai 2012 – Mitsubishi Electric präsentiert seine Mega Power Dual- (MPD) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module der sechsten Generation. Diese Module sind auf den Einsatz in Wechselrichtern großer Photovoltaik- und Windkraftanlagen ausgerichtet, eignen sich aber auch hervorragend für Anwendungen mit hohem Leistungsbedarf im Bereich unterbrechungsfreier Stromversorgungssysteme oder für umrichtergespeiste Drehstromantriebe.
Mit den Carrier-Stored Trench-Gate Bipolar Transistoren (CSTBT) der sechsten Generation verringert sich die Kollektor-Emitter Sättigungsspannung im Vergleich zu den MPD-Modulen der fünften Generation um ca. 15 %. Gleichermaßen konnte die Gate-Kapazität um 30-50 % verringert werden. Zudem erhöht sich die maximal zulässige Sperrschicht-Temperatur auf
175 °C.
Die neuen MPD IGBT-Module der sechsten Generation sind in Bezug auf Abmessungen, Form und Pinkonfiguration kompatibel zu den MPD-Modulen der fünften Generation, wobei die Isolationsspannung auf 4000 V erhöht wurde. Die Module der neuen Serie sind erhältlich in den Varianten CM900DUC-24S (1200 V/900 A), CM1400DUC-24S (1200 V/1400 A) und CM1000DUC-34SA (1700 V/1000 A).
Die neue IGBT-Serie erfüllt alle Anforderungen der RoHS-Direktive.
Als Teil der Anstrengungen zur Begrenzung der weltweiten Klimaerwärmung durch die Reduktion von Kohlendioxid (CO2) Emissionen gewinnt die Stromerzeugung aus erneuerbaren Energien wie Wind- und Sonnenenergie zunehmend an Bedeutung. Die MPD-Serie der sechsten Generation wurde für den zunehmenden Bedarf nach effizienten und zuverlässigen Systemen zur Energiewandlung im Megawatt-Bereich entwickelt. Mega Power Dual Module der vorangegangenen fünften Generation sind bereits seit 2002 erfolgreich im Einsatz.
Ratingen, 8. Mai 2012 – Mitsubishi Electric präsentiert seine Mega Power Dual- (MPD) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module der sechsten Generation. Diese Module sind auf den Einsatz in Wechselrichtern großer Photovoltaik- und Windkraftanlagen ausgerichtet, eignen sich aber auch hervorragend für Anwendungen mit hohem Leistungsbedarf im Bereich unterbrechungsfreier Stromversorgungssysteme oder für umrichtergespeiste Drehstromantriebe.
Mit den Carrier-Stored Trench-Gate Bipolar Transistoren (CSTBT) der sechsten Generation verringert sich die Kollektor-Emitter Sättigungsspannung im Vergleich zu den MPD-Modulen der fünften Generation um ca. 15 %. Gleichermaßen konnte die Gate-Kapazität um 30-50 % verringert werden. Zudem erhöht sich die maximal zulässige Sperrschicht-Temperatur auf
175 °C.
Die neuen MPD IGBT-Module der sechsten Generation sind in Bezug auf Abmessungen, Form und Pinkonfiguration kompatibel zu den MPD-Modulen der fünften Generation, wobei die Isolationsspannung auf 4000 V erhöht wurde. Die Module der neuen Serie sind erhältlich in den Varianten CM900DUC-24S (1200 V/900 A), CM1400DUC-24S (1200 V/1400 A) und CM1000DUC-34SA (1700 V/1000 A).
Die neue IGBT-Serie erfüllt alle Anforderungen der RoHS-Direktive.
Als Teil der Anstrengungen zur Begrenzung der weltweiten Klimaerwärmung durch die Reduktion von Kohlendioxid (CO2) Emissionen gewinnt die Stromerzeugung aus erneuerbaren Energien wie Wind- und Sonnenenergie zunehmend an Bedeutung. Die MPD-Serie der sechsten Generation wurde für den zunehmenden Bedarf nach effizienten und zuverlässigen Systemen zur Energiewandlung im Megawatt-Bereich entwickelt. Mega Power Dual Module der vorangegangenen fünften Generation sind bereits seit 2002 erfolgreich im Einsatz.
Über Mitsubishi Electric b. v.:
Weitere Informationen finden sich auf unserer Homepage
Firmenkontakt:
Pressekontakt:
MITSUBISHI ELECTRIC EUROPE B.V.
Semiconductor European Business Group
Judith Seifert
Gothaer Straße 8
D-40880 Ratingen
Telefon: +49 (21 02) 486-0
semis.info@meg.mee.com
www.mitsubishichips.eu
Weitere Informationen finden sich auf unserer Homepage
Firmenkontakt:
Pressekontakt:
MITSUBISHI ELECTRIC EUROPE B.V.
Semiconductor European Business Group
Judith Seifert
Gothaer Straße 8
D-40880 Ratingen
Telefon: +49 (21 02) 486-0
semis.info@meg.mee.com
www.mitsubishichips.eu
Die Pressemeldung "Mega Power Dual-IGBT Module der sechsten Generation von Mitsubishi Electric" unterliegt dem Urheberrecht der pressrelations GmbH. Jegliche Verwendung dieses Textes, auch auszugsweise, erfordert die vorherige schriftliche Erlaubnis des Autors. Autor der Pressemeldung "Mega Power Dual-IGBT Module der sechsten Generation von Mitsubishi Electric" ist Mitsubishi Electric b. v..