BMBF-Verbundprojekt zu neuartiger Chipherstelltechnologie – Hauptmeilenstein erfolgreich absolviert
- Pressemitteilung der Firma Carl Zeiss AG, 11.03.2011
Pressemitteilung vom: 11.03.2011 von der Firma Carl Zeiss AG aus Oberkochen
Kurzfassung: Ergebnisse werden eine neue Ära der Chip- fertigung einläuten. Deutsche Unternehmen technologisch weltweit führend bei Kernprozessen zur Herstellung integrierter Schaltkreise. Unter Konsortialführerschaft von Carl Zeiss fördert das ...
[Carl Zeiss AG - 11.03.2011] BMBF-Verbundprojekt zu neuartiger Chipherstelltechnologie – Hauptmeilenstein erfolgreich absolviert
Ergebnisse werden eine neue Ära der Chip- fertigung einläuten.
Deutsche Unternehmen technologisch weltweit führend bei Kernprozessen zur Herstellung integrierter Schaltkreise.
Unter Konsortialführerschaft von Carl Zeiss fördert das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) ein umfangreiches Verbund- projekt rund um die so genannte EUV-Litho- graphie (Extreme Ultra Violet Lithography). Diese neuartige Technologie hat ein großes Potenzial zur weiteren Miniaturisierung von Mikrochips und wird zukünftig entscheidend zur Steigerung ihres Leistungsvermögens beitragen. Das Verbund- projekt hat zum Ziel, die EUV-Lithographie von der industriellen Grundlagenforschung zu einer voll einsetzbaren Produktionstechnologie für die Serienproduktion von Chips voranzutreiben. Das auf drei Jahre ausgelegte Projekt wird vom BMBF mit insgesamt 16,4 Mio. Euro gefördert.
Neben zwei Unternehmen der Carl Zeiss Gruppe arbeiten sechs weitere deutsche Unternehmen und Forschungseinrichtungen in diesem Projekt zusammen. Winfried Kaiser, Senior Vice President Produkt Strategie Lithographie-Optik bei Carl Zeiss, unterstreicht die Bedeutung des Verbundprojektes: "In Deutschland existiert eine leistungsstarke Forschungs- und Entwicklungs- landschaft für die EUV-Lithographie. Das Projekt vereinigt und stärkt dieses weltweit führende Know-how, was letztlich auch zu neuen, attraktiven Arbeitsplätzen am Standort Deutschland führen wird."
Als Hauptmeilenstein wurde erst kürzlich der aktuelle Stand der EUV-Lithographie mit konkurrierenden Verfahren verglichen. Das Ergebnis bestärkte die Perspektiven, die in der EUV-Lithographie gesehen werden. Gleichzeitig wurden die eingeleiteten Entwicklungsschritte bestätigt.
Kernprozess bei der Chipherstellung
Die als "Lithographie" bezeichnete Technologie ist ein Schlüsselprozess bei der Chipherstellung, den jeder einzelne Mikrochip während der Produktion vielfach durchläuft. Mittels komplexer optischer Systeme werden dabei die Funktions- elemente eines Mikrochips von einer Maske auf einem Siliziumwafer – dem Substratmaterial von Mikrochips – abgebildet. Im Vergleich zum bis- herigen Lithographieprozess arbeitet die EUV-Lithographie mit Strahlung wesentlich kürzerer Wellenlänge (13,5 Nanometer), die eine viel feinere Detailabbildung und somit eine weitere Miniaturisierung ermöglicht. Diese extrem kurze Wellenlänge stellt jedoch völlig neue Anforderungen an die komplette Lithographie-Infrastruktur. So müssen die Systeme beispiels- weise im Vakuum betrieben werden, da Luft oder technische Gase die Strahlung absorbieren. Ebenfalls aufgrund von Materialabsorption müssen für die optischen Systeme Spiegel anstatt Linsen eingesetzt werden. Zudem steigen die Anforderungen an die Sauberkeit im Prozess erheblich.
Im Rahmen des BMBF-Verbundprojektes entwickeln zwei Unternehmen der Carl Zeiss Gruppe die für den Lithographieprozess benötigten Spiegelsysteme als auch die Systeme zur Vermessung und Reparatur von Lithographie- masken. Weitere Projektpartner sind IMS CHIPS (Stuttgart), HamaTech APE GmbH
Co KG (Sternenfels), Advanced Mask Technology Center GmbH
Co. KG (AMTC, Dresden), die Bruker Advanced Supercon GmbH (Bergisch Gladbach), Dynamic Micro Systems GmbH (Radolfzell) sowie das Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelemente- technologie (FhG IISB, Erlangen), die für die Entwicklung der EUV-Maskenintegrität, Infra- struktur und Prozesssimulationsaufgaben verantwortlich zeichnen.
Das Verbundprojekt ist Teil des vom nieder- ländischen Unternehmen ASML geführten europäischen EXEPT Projektes (Extreme UV Lithography Entry Point Technology Development), welches dem EUREKA-Cluster CATRENE für Nanoelektronik entspringt. Es setzt die in den vergangenen zehn Jahren sehr erfolgreiche und durch gezielte Fördermaßnahmen wirksam unterstützte Kooperation europäischer Firmen im Hochtechnologiesektor fort, die die Partner im internationalen Wettbewerb an die Spitze geführt hat. Dies stellt eine herausragende Erfolgs- geschichte für Projekte innerhalb des EUREKA-Clusters dar.
Markus Wiederspahn
Public Relations
Carl Zeiss SMT AG
Tel.: +49 7364 20-2194
Fax: +49 7364 20-9206
E-Mail: wiederspahn@smt.zeiss.com
Ergebnisse werden eine neue Ära der Chip- fertigung einläuten.
Deutsche Unternehmen technologisch weltweit führend bei Kernprozessen zur Herstellung integrierter Schaltkreise.
Unter Konsortialführerschaft von Carl Zeiss fördert das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) ein umfangreiches Verbund- projekt rund um die so genannte EUV-Litho- graphie (Extreme Ultra Violet Lithography). Diese neuartige Technologie hat ein großes Potenzial zur weiteren Miniaturisierung von Mikrochips und wird zukünftig entscheidend zur Steigerung ihres Leistungsvermögens beitragen. Das Verbund- projekt hat zum Ziel, die EUV-Lithographie von der industriellen Grundlagenforschung zu einer voll einsetzbaren Produktionstechnologie für die Serienproduktion von Chips voranzutreiben. Das auf drei Jahre ausgelegte Projekt wird vom BMBF mit insgesamt 16,4 Mio. Euro gefördert.
Neben zwei Unternehmen der Carl Zeiss Gruppe arbeiten sechs weitere deutsche Unternehmen und Forschungseinrichtungen in diesem Projekt zusammen. Winfried Kaiser, Senior Vice President Produkt Strategie Lithographie-Optik bei Carl Zeiss, unterstreicht die Bedeutung des Verbundprojektes: "In Deutschland existiert eine leistungsstarke Forschungs- und Entwicklungs- landschaft für die EUV-Lithographie. Das Projekt vereinigt und stärkt dieses weltweit führende Know-how, was letztlich auch zu neuen, attraktiven Arbeitsplätzen am Standort Deutschland führen wird."
Als Hauptmeilenstein wurde erst kürzlich der aktuelle Stand der EUV-Lithographie mit konkurrierenden Verfahren verglichen. Das Ergebnis bestärkte die Perspektiven, die in der EUV-Lithographie gesehen werden. Gleichzeitig wurden die eingeleiteten Entwicklungsschritte bestätigt.
Kernprozess bei der Chipherstellung
Die als "Lithographie" bezeichnete Technologie ist ein Schlüsselprozess bei der Chipherstellung, den jeder einzelne Mikrochip während der Produktion vielfach durchläuft. Mittels komplexer optischer Systeme werden dabei die Funktions- elemente eines Mikrochips von einer Maske auf einem Siliziumwafer – dem Substratmaterial von Mikrochips – abgebildet. Im Vergleich zum bis- herigen Lithographieprozess arbeitet die EUV-Lithographie mit Strahlung wesentlich kürzerer Wellenlänge (13,5 Nanometer), die eine viel feinere Detailabbildung und somit eine weitere Miniaturisierung ermöglicht. Diese extrem kurze Wellenlänge stellt jedoch völlig neue Anforderungen an die komplette Lithographie-Infrastruktur. So müssen die Systeme beispiels- weise im Vakuum betrieben werden, da Luft oder technische Gase die Strahlung absorbieren. Ebenfalls aufgrund von Materialabsorption müssen für die optischen Systeme Spiegel anstatt Linsen eingesetzt werden. Zudem steigen die Anforderungen an die Sauberkeit im Prozess erheblich.
Im Rahmen des BMBF-Verbundprojektes entwickeln zwei Unternehmen der Carl Zeiss Gruppe die für den Lithographieprozess benötigten Spiegelsysteme als auch die Systeme zur Vermessung und Reparatur von Lithographie- masken. Weitere Projektpartner sind IMS CHIPS (Stuttgart), HamaTech APE GmbH
Co KG (Sternenfels), Advanced Mask Technology Center GmbH
Co. KG (AMTC, Dresden), die Bruker Advanced Supercon GmbH (Bergisch Gladbach), Dynamic Micro Systems GmbH (Radolfzell) sowie das Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelemente- technologie (FhG IISB, Erlangen), die für die Entwicklung der EUV-Maskenintegrität, Infra- struktur und Prozesssimulationsaufgaben verantwortlich zeichnen.
Das Verbundprojekt ist Teil des vom nieder- ländischen Unternehmen ASML geführten europäischen EXEPT Projektes (Extreme UV Lithography Entry Point Technology Development), welches dem EUREKA-Cluster CATRENE für Nanoelektronik entspringt. Es setzt die in den vergangenen zehn Jahren sehr erfolgreiche und durch gezielte Fördermaßnahmen wirksam unterstützte Kooperation europäischer Firmen im Hochtechnologiesektor fort, die die Partner im internationalen Wettbewerb an die Spitze geführt hat. Dies stellt eine herausragende Erfolgs- geschichte für Projekte innerhalb des EUREKA-Clusters dar.
Markus Wiederspahn
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