17.05.2013 12:04 Uhr in Wirtschaft & Finanzen von Mitsubishi Electric b. v.
Vorstellung des Referenten Dr. Majumdar / Pressekonferenz PCIM 2013
Kurzfassung: Vorstellung des Referenten Dr. Majumdar / Pressekonferenz PCIM 2013Gourab Majumdar, Ph.D.Fellow, Mitsubishi Electric Corporation, Semiconductor Device Group, JapanDr. Gourab Majumdar machte 1977 sein ...
[Mitsubishi Electric b. v. - 17.05.2013] Vorstellung des Referenten Dr. Majumdar / Pressekonferenz PCIM 2013
Gourab Majumdar, Ph.D.
Fellow, Mitsubishi Electric Corporation, Semiconductor
Device Group, Japan
Dr. Gourab Majumdar machte 1977 seinen Bachelor in Elektrotechnik an dem Indian Institute of Technology (IIT) in Delhi, Indien. Im Jahr 2005 machte er seinen Doktor in Informatik an der japanischen Hochschule Kyshuu Institute of Technology (KIT) in Fukuoka, Japan.
Im April 2012 wurde er zum Mitsubishi Electric Corporate Fellow der Semiconductor
Device Group ernannt und führt dort derzeit seine Aufgaben aus.
Dr. Majumdar veröffentlichte bereits viele Fachbeiträge über moderne Leistungshalbleiter-Module, wie z.B. IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) und IPMs (Intelligente Power Module) und hat mehrere Patente in den entsprechenden Gebieten. Im Jahr 2005 wurde ihm in Japan der Preis "National Invention Award für die Erfindung des IPM-Grundkonzepts verliehen.
Er erhielt auch weitere Auszeichnungen der Industrie für Beiträge in Bezug auf Design und Entwicklung verschiedener IPM-Produktgenerationen.
Weitere Informationen erhalten Sie bei:
MITSUBISHI ELECTRIC EUROPE B.V.
Semiconductor European Business Group
Corinna Meyer
Gothaer Straße 8
D-40880 Ratingen
Tel. +49 (21 02) 486-0
semis.info@meg.mee.com
www.mitsubishichips.eu
Gourab Majumdar, Ph.D.
Fellow, Mitsubishi Electric Corporation, Semiconductor
Device Group, Japan
Dr. Gourab Majumdar machte 1977 seinen Bachelor in Elektrotechnik an dem Indian Institute of Technology (IIT) in Delhi, Indien. Im Jahr 2005 machte er seinen Doktor in Informatik an der japanischen Hochschule Kyshuu Institute of Technology (KIT) in Fukuoka, Japan.
Im April 2012 wurde er zum Mitsubishi Electric Corporate Fellow der Semiconductor
Device Group ernannt und führt dort derzeit seine Aufgaben aus.
Dr. Majumdar veröffentlichte bereits viele Fachbeiträge über moderne Leistungshalbleiter-Module, wie z.B. IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) und IPMs (Intelligente Power Module) und hat mehrere Patente in den entsprechenden Gebieten. Im Jahr 2005 wurde ihm in Japan der Preis "National Invention Award für die Erfindung des IPM-Grundkonzepts verliehen.
Er erhielt auch weitere Auszeichnungen der Industrie für Beiträge in Bezug auf Design und Entwicklung verschiedener IPM-Produktgenerationen.
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