ZEISS ORION NanoFab erhält Microscopy Today Innovation Award 2013

[Carl Zeiss AG - 15.08.2013] ZEISS ORION NanoFab erhält Microscopy Today Innovation Award 2013

Multi-Ionenstrahl-System von ZEISS eröffnet neue Möglichkeiten in der Nanofabrikation
Auf der Fachmesse Microscopy
Microanalysis in Indianapolis erhielt ZEISS ORION NanoFab den Microscopy Today Innovation Award 2013. Die Auszeichnung wird jährlich vom Magazin Microscopy Today an Technologien und Geräte verliehen, die den Fortschritt der Mikroskopie maßgeblich prägen.
ORION NanoFab ist ein System zur Nanofabrikation, das erstmals fokussierte Helium-, Neon- und Galliumionen-Strahlen in einer Plattform integriert. Die Helium- und Neonionen-Strahlen basieren dabei auf der Gasfeld-Ionenquelle (GFIS). Zugleich verfügt das Gerät über den bewährten fokussierten Galliumionen-Strahl (FIB), mit dem große Materialmengen schnell abgetragen und Strukturen erzeugt werden können, die nicht durch den Galliumeintrag beeinträchtigt werden. "ORION NanoFab ist eine Multi-Ionenstrahl-Plattform, die es dem Anwender ermöglicht, je nach Anwendung flexibel zwischen den verschiedenen Strahlenquellen zu wechseln. Wir freuen uns sehr über die Anerkennung, die Microscopy Today dem Produkt entgegenbringt", so Dr. Mohan Ananth, Leiter Produktmanagement für Ionenmikroskopie bei ZEISS.
Für neue Applikationen, bei denen Strukturen kleiner als 10 nm erzeugt werden sollen oder Galliumeintrag vermieden werden soll, können Nutzer auf Helium- oder Neon-Ionenstrahlen zurückgreifen. Ist die Nanofabrikation abgeschlossen, kann der Anwender das Ergebnis hochaufgelöst im selben Gerät betrachten, ohne die Probe zu entfernen. ORION NanoFab erlaubt es Forschern und Unternehmen, durch die Verwendung von Helium- und Neonionen-Strahlen ihre Verfahren in weniger Schritten und ohne Kontamination umzusetzen. Zu bereits erfolgreichen Applikationen zählen: Nanoporen für Bioanalytik-Anwendungen, Graphen-Nanoribbon-Strukturierung, Imaging von Schiefer und Kohle bei der Öl- und Gasgewinnung, Ionenstrahl-Lithographie, plasmonische Verfahren sowie die Bearbeitung von Halbleiterschaltkreisen.

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